Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > JAN1N5804
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2977587

JAN1N5804

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
120+
$8.547
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N5804
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    975mV @ 2.5A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    100V
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Timp de recuperare invers (trr)
    25ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    A, Axial
  • Alte nume
    1086-2119
    1086-2119-MIL
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 100V 2.5A Through Hole
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1µA @ 100V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    2.5A
  • Capacitate @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N5804”.
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Descriere: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Descriere: TVS DIODE 111V 179V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Descriere: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Descriere: TVS DIODE 53V 85V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Descriere: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Descriere: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Descriere: TVS DIODE 10CFLATPACK

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.