Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > JAN1N5615
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1034376

JAN1N5615

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
179+
$5.698
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N5615
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    JAN1N5615.pdf
  • Modelul ECAD
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Standard
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Starea RoHS
    Bulk
  • Timp de recuperare invers (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    -
  • Polarizare
    A, Axial
  • Alte nume
    1086-2103
    1086-2103-MIL
  • Temperatura de funcționare - Junction
    150ns
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Codul producătorului
    JAN1N5615
  • Descriere extinsă
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Configurarea diodelor
    500nA @ 200V
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1.6V @ 3A
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    200V
  • Capacitate @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N5615”.
JAN1N5612

JAN1N5612

Descriere: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Descriere: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Descriere: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Descriere: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Descriere: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Descriere: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.