Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Protecția circuitului > TVS - Dioduri > JAN1N5610
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4499075

JAN1N5610

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N5610
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    JAN1N5610.pdf
  • Tensiune - Standare inversă (tip)
    30.5V
  • Tensiune - Clamping (Max) @ Ipp
    47.6V
  • Tensiune - Defalcare (Min)
    33V
  • Canale unidirecționale
    1
  • Tip
    Zener
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    G, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/434
  • Protecția liniei electrice
    No
  • Power - vârf de vârf
    1500W (1.5kW)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    G, Axial
  • Alte nume
    1086-15766
    1086-15766-MIL
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Curent - vârf de vârf (10 / 1000μs)
    32A
  • Capacitate @ Frecventa
    -
  • Aplicații
    General Purpose

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N5610”.
JAN1N5611

JAN1N5611

Descriere: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Descriere: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Descriere: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Descriere: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Descriere: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.