Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > APTM120H140FT1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5670331APTM120H140FT1G ImagineMicrosemi

APTM120H140FT1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$41.096
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM120H140FT1G
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APTM120H140FT1G.pdf
    2.APTM120H140FT1G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.68 Ohm @ 7A, 10V
  • Putere - Max
    208W
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP1
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3812pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Tipul FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8A

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APTM120H140FT1G”.
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120TA57FPG

APTM120TA57FPG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK29TG

APTM120SK29TG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK15G

APTM120SK15G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK68T1G

APTM120SK68T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.