Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APTM120DA30CT1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1134623APTM120DA30CT1G ImagineMicrosemi

APTM120DA30CT1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$66.465
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM120DA30CT1G
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    APTM120DA30CT1G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP1
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 25A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    657W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP1
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APTM120DA30CT1G”.
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120A15FG

APTM120A15FG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.