Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT66F60B2
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6538582APT66F60B2 ImagineMicrosemi

APT66F60B2

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$24.07
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT66F60B2
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    APT66F60B2.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1135W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT66F60B2”.
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Descriere: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Descriere: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Descriere: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Descriere: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Descriere: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Descriere: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Descriere: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Descriere: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Descriere: IGBT 600V 198A 833W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Descriere: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Descriere: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Descriere: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Descriere: IGBT 900V 117A 500W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.