Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - IGBT - Single > APT64GA90B2D30
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
655011APT64GA90B2D30 ImagineMicrosemi

APT64GA90B2D30

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$13.57
10+
$12.338
30+
$11.413
120+
$10.487
270+
$9.562
510+
$8.945
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT64GA90B2D30
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IGBT 900V 117A 500W TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    APT64GA90B2D30.pdf
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    900V
  • Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 38A
  • Starea testului
    600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (pornire / oprire) @ 25 ° C
    18ns/131ns
  • Comutarea energiei
    1192µJ (on), 1088µJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Putere - Max
    500W
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    29 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip de introducere
    Standard
  • Tip IGBT
    PT
  • Chargeul porții
    162nC
  • descriere detaliata
    IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
  • Curent - colector pulsat (Icm)
    193A
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    117A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT64GA90B2D30”.
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Descriere: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Descriere: IGBT 600V 198A 833W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Descriere: IGBT 900V 117A 500W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Descriere: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Descriere: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Descriere: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Descriere: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Descriere: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Descriere: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Descriere: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Descriere: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.