Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RQ6E085BNTCR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1095768RQ6E085BNTCR ImagineLAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.384
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RQ6E085BNTCR
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-457
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.25W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SC-74, SOT-457
  • Alte nume
    RQ6E085BNTCRTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Tc)

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RQ6E085BNTCR”.
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Descriere: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Descriere: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Descriere: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Descriere: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Descriere: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Descriere: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Descriere: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

Descriere: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

Descriere: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
AOD452

AOD452

Descriere: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Descriere: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.