Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RQ6E045BNTCR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3862342RQ6E045BNTCR ImagineLAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.137
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RQ6E045BNTCR
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RQ6E045BNTCR.pdf
    2.RQ6E045BNTCR.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TSMT6 (SC-95)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.25W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Alte nume
    RQ6E045BNTCRTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RQ6E045BNTCR”.
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Descriere: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
STP3LN62K3

STP3LN62K3

Descriere: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

Descriere: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Descriere: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
TLC530FTU

TLC530FTU

Descriere: MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IPC171N04NX1SA1

IPC171N04NX1SA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXFN44N100P

IXFN44N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

Descriere: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFS4744NT3G

NTMFS4744NT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Descriere: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Descriere: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.