Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6002ENDTL
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5854359R6002ENDTL ImagineLAPIS Semiconductor

R6002ENDTL

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6002ENDTL
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6002ENDTL.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    CPT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    20W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    R6002ENDTLCT
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    65pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6002ENDTL”.
R60030-1SR

R60030-1SR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60030-3COR

R60030-3COR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002025XXYA

R6002025XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-2SR

R60030-2SR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002030XXYA

R6002030XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-2COR

R60030-2COR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002END3TL1

R6002END3TL1

Descriere: NCH 600V 2A POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6002225XXYA

R6002225XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6001630XXYA

R6001630XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6003-00

R6003-00

Descriere: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM

Producători: Harwin
In stoc
RFQ
R60030-2PR

R60030-2PR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60030-1CR

R60030-1CR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60030-1PR

R60030-1PR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6001825XXYA

R6001825XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-1COR

R60030-1COR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6001625XXYA

R6001625XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6002625XXYA

R6002625XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6001830XXYA

R6001830XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-2CR

R60030-2CR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002425XXYA

R6002425XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.