Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6002END3TL1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3053031R6002END3TL1 ImagineLAPIS Semiconductor

R6002END3TL1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.14
10+
$1.013
100+
$0.801
500+
$0.621
1000+
$0.49
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6002END3TL1
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    NCH 600V 2A POWER MOSFET
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6002END3TL1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-252
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    26W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    R6002END3TL1DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    65pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6002END3TL1”.
R6002ENDTL

R6002ENDTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6002625XXYA

R6002625XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-2COR

R60030-2COR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002425XXYA

R6002425XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-1CR

R60030-1CR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60030-2PR

R60030-2PR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6001830XXYA

R6001830XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-2CR

R60030-2CR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002025XXYA

R6002025XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6001625XXYA

R6001625XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-2SR

R60030-2SR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6002030XXYA

R6002030XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6001825XXYA

R6001825XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R60030-1SR

R60030-1SR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60030-1PR

R60030-1PR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R60030-1COR

R60030-1COR

Descriere: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
R6001630XXYA

R6001630XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6003-00

R6003-00

Descriere: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM

Producători: Harwin
In stoc
RFQ
R6001430XXYA

R6001430XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6002225XXYA

R6002225XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.