Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB054N06N3GATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2386900IPB054N06N3GATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB054N06N3GATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.81
10+
$1.602
100+
$1.266
500+
$0.982
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB054N06N3GATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB054N06N3GATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 58µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 80A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    115W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB054N06N3 GCT
    IPB054N06N3 GCT-ND
    IPB054N06N3GATMA1CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    6600pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB054N06N3GATMA1”.
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB050N06NGATMA1

IPB050N06NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB05N03LA

IPB05N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB052N04NGATMA1

IPB052N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB055N03LGATMA1

IPB055N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB05CN10N G

IPB05CN10N G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.