Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB049N06L3GATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
704623IPB049N06L3GATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB049N06L3GATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB049N06L3GATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB049N06L3GATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 58µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    115W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB049N06L3 GDKR
    IPB049N06L3 GDKR-ND
    IPB049N06L3GATMA1DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    8400pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB049N06L3GATMA1”.
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB052N04NGATMA1

IPB052N04NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB050N06NGATMA1

IPB050N06NGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB054N06N3GATMA1

IPB054N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.