Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXTA1N80
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2632978IXTA1N80 ImagineIXYS Corporation

IXTA1N80

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
50+
$2.30
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXTA1N80
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXTA1N80.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263 (IXTA)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 Ohm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    40W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    220pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    750mA (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXTA1N80”.
IXTA180N10T

IXTA180N10T

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA18P10T

IXTA18P10T

Descriere: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Descriere: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

Descriere: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Descriere: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Descriere: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA200N075T

IXTA200N075T

Descriere: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2

Descriere: MOSFET N-CH 55V 200A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N100P

IXTA1N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

Descriere: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N120P

IXTA1N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA200N085T7

IXTA200N085T7

Descriere: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA200N075T7

IXTA200N075T7

Descriere: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N100

IXTA1N100

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.