Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXTA18P10T
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1806968IXTA18P10T ImagineIXYS Corporation

IXTA18P10T

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
50+
$1.955
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXTA18P10T
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXTA18P10T.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263 (IXTA)
  • Serie
    TrenchP™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 9A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    83W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXTA18P10T”.
IXTA180N10T

IXTA180N10T

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N80

IXTA1N80

Descriere: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N120P

IXTA1N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA180N055T

IXTA180N055T

Descriere: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Descriere: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N100

IXTA1N100

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA180N085T7

IXTA180N085T7

Descriere: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA16N50P

IXTA16N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA160N10T7

IXTA160N10T7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

Descriere: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA180N085T

IXTA180N085T

Descriere: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N100P

IXTA1N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Descriere: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

Descriere: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTA170N075T2

IXTA170N075T2

Descriere: MOSFET N-CH 75V 170A TO-263

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.