Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > LSIC1MO120E0120
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4865040LSIC1MO120E0120 ImagineHamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0120

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$21.51
10+
$19.55
25+
$18.084
100+
$16.618
250+
$15.151
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    LSIC1MO120E0120
  • Producator / Marca
    Hamlin / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    LSIC1MO120E0120.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 7mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Tehnologie
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 14A, 20V
  • Distrugerea puterii (Max)
    139W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Alte nume
    F11004
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    29 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1125pF @ 800V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 20V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    20V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „LSIC1MO120E0120”.
NDS9435A

NDS9435A

Descriere: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
GKI07174

GKI07174

Descriere: MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN

Producători: Sanken Electric Co., Ltd.
In stoc
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Descriere: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Descriere: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Descriere: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Descriere: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Descriere: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
BUK725R0-40C,118

BUK725R0-40C,118

Descriere: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FQAF12P20

FQAF12P20

Descriere: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQP3N80C

FQP3N80C

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPAN60R650CEXKSA1

IPAN60R650CEXKSA1

Descriere: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Descriere: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.