Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIS406DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4320807SIS406DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS406DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.342
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIS406DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIS406DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Alte nume
    SIS406DN-T1-GE3TR
    SIS406DNT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    27 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIS406DN-T1-GE3”.
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS07VD

SIS07VD

Descriere: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS07VE

SIS07VE

Descriere: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS07VB

SIS07VB

Descriere: DC DC CONVERTER 1.8V 12W

Producători: Bel
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.