Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIS426DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1267374SIS426DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS426DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIS426DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIS426DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Alte nume
    SIS426DN-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1570pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIS426DN-T1-GE3”.
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.