GP1M010A080N

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Anchetă online

Specificații

Număr parc

GP1M010A080N
Producator / Marca

SemiQ
Cantitatea de stoc

In stoc
Descriere

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Condiții libere de stare / stare RoHS

Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
Foi de date

GP1M010A080N.pdf
Modelul ECAD
Vgs (a) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)
Pachetul dispozitivului furnizor

TO-3PN
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 5A, 10V
Distrugerea puterii (Max)

312W (Tc)
ambalare

Tape & Reel (TR)
Pachet / Caz

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare

Through Hole
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)
Condiții de stare fără plumb / stare RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2336pF @ 25V
Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V
Tipul FET

N-Channel
FET Feature

-
Tensiunea de transmisie (valorile max.

10V
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)

900V
descriere detaliata

N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Vești înrudite
livrare
Plată

Am stabilit parteneriate pe termen lung cu furnizori de logistică globale majore, oferind soluții de transport flexibile și eficiente, adaptate nevoilor dvs. unice.În funcție de dimensiunea, greutatea și destinația comenzii dvs., selectăm cel mai potrivit transportator de transport.De asemenea, oferim servicii de urmărire logistică în timp real, permițând clienților să înțeleagă locația și starea mărfurilor lor în orice moment. Dacă aveți rute specifice de transport internațional sau un expeditor de marfă desemnat, vă rugăm să contactați echipa noastră de vânzări-suntem bucuroși să ne acomodăm cerințele.

Susținem mai multe metode de plată, inclusiv carduri de credit, transferuri de sârmă și alte opțiuni și acceptăm majoritatea monedelor.Pentru comenzile plasate în USD, sunt disponibile opțiuni suplimentare de plată.Pentru mai multe detalii despre metodele și procedurile de plată, vă rugăm să contactați echipa noastră de vânzări.

Următoarele sunt produsele legate de „GP1M010A080N”.

GP1M012A060H

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Producători: Global Power Technologies Group

In stoc

GP1M010A080N

Cerere de cotație

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

What the Global Supercomputer Rankings Reveal About the Fut...

Electronics Weekly News | Feb 23 - Mar 1, 2026

How to Identify Authentic Components | X-RAY Spotting Machine

Electronics Weekly News | Feb 2 - 8, 2026

Customer Case Study | Tier1 ADAS / Domain Controller Memory...

Consumer Electronics Memory: Applications and Selection Whi...

Electronics Weekly News | Jan 26- Feb 1, 2026

Consumer Electronics Memory: Applications and Selection Whi...

Electronics Weekly News | January 19-25, 2026

Consumer Electronics Memory: Applications and Selection Whi...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Selecteaza limba

Limba actuală