Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP1M009A090N
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
517001GP1M009A090N ImagineGlobal Power Technologies Group

GP1M009A090N

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP1M009A090N
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP1M009A090N.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-3PN
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    312W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Alte nume
    1560-1174-1
    1560-1174-1-ND
    1560-1174-5
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2324pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    900V
  • descriere detaliata
    N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP1M009A090N”.
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Descriere: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Descriere: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Descriere: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Descriere: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Descriere: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Descriere: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Descriere: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Descriere: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.