Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP1M003A080H
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6003395GP1M003A080H ImagineGlobal Power Technologies Group

GP1M003A080H

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP1M003A080H
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP1M003A080H.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    94W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    696pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP1M003A080H”.
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M004A090H

GP1M004A090H

Descriere: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Descriere: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Descriere: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Descriere: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1L57

GP1L57

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Descriere: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Descriere: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.