Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > GP1M003A050CG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
503467

GP1M003A050CG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GP1M003A050CG
  • Producator / Marca
    SemiQ
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GP1M003A050CG.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    52W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    395pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    500V
  • descriere detaliata
    N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GP1M003A050CG”.
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Descriere: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Descriere: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1L57

GP1L57

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Descriere: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Descriere: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Descriere: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Descriere: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Descriere: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Descriere: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Descriere: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.