Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > ISL9R8120S3ST
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
331649ISL9R8120S3ST ImagineFairchild/ON Semiconductor

ISL9R8120S3ST

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ISL9R8120S3ST
  • Producator / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ISL9R8120S3ST.pdf
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Standard
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    8A
  • Tensiune - Defalcare
    TO-263AB
  • Serie
    Stealth™
  • Starea RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Timp de recuperare invers (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    30pF @ 10V, 1MHz
  • Polarizare
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    ISL9R8120S3ST-ND
    ISL9R8120S3STFSTR
  • Temperatura de funcționare - Junction
    300ns
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Codul producătorului
    ISL9R8120S3ST
  • Descriere extinsă
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
  • Configurarea diodelor
    100µA @ 1200V
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    3.3V @ 8A
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitate @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ISL9R8120S3ST”.
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Descriere: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST

Descriere: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R860P2

ISL9R860P2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.