Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > ISL9R8120P2
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1504469ISL9R8120P2 ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R8120P2

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ISL9R8120P2
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ISL9R8120P2.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    3.3V @ 8A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220AC
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Stealth™
  • Timp de recuperare invers (trr)
    300ns
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-2
  • Alte nume
    Q1563503
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 1200V 8A Through Hole TO-220AC
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    8A
  • Capacitate @ Vr, F
    30pF @ 10V, 1MHz
  • Numărul părții de bază
    ISL9R8120

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ISL9R8120P2”.
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Descriere: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R18120G2

ISL9R18120G2

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R8120S3ST

ISL9R8120S3ST

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

Descriere: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ISL9R860P2

ISL9R860P2

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.