Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SQJQ906E-T1_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3673668SQJQ906E-T1_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ906E-T1_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2000+
$1.108
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQJQ906E-T1_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SQJQ906E-T1_GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 5A, 10V
  • Putere - Max
    50W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Alte nume
    SQJQ906E-T1_GE3-ND
    SQJQ906E-T1_GE3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3600pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 95A (Tc) 50W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    95A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQJQ906E-T1_GE3”.
SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 40V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.