Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SQJB80EP-T1_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3632297SQJB80EP-T1_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJB80EP-T1_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.29
10+
$1.146
100+
$0.905
500+
$0.702
1000+
$0.554
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQJB80EP-T1_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SQJB80EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 8A, 10V
  • Putere - Max
    48W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Alte nume
    SQJB80EP-T1_GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    80V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQJB80EP-T1_GE3”.
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 40V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJA92EP-T1_GE3

SQJA92EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 57A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJA94EP-T1_GE3

SQJA94EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.