Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SIS903DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
445289SIS903DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS903DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.18
10+
$1.041
100+
$0.823
500+
$0.638
1000+
$0.504
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIS903DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIS903DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Putere - Max
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Alte nume
    SIS903DN-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2565pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIS903DN-T1-GE3”.
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.