Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIS822DNT-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1677980SIS822DNT-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS822DNT-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
6000+
$0.127
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIS822DNT-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
  • Foi de date
    SIS822DNT-T1-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    15.6W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Producător Standard Timp de plumb
    27 Weeks
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    435pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIS822DNT-T1-GE3”.
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Descriere: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Descriere: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.