Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIR646DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
269767SIR646DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR646DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIR646DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.SIR646DP-T1-GE3.pdf
    2.SIR646DP-T1-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    5W (Ta), 54W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SIR646DP-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2230pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 60A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIR646DP-T1-GE3”.
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Descriere: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Producători: Everlight Electronics
In stoc
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.