Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIR632DP-T1-RE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3428388SIR632DP-T1-RE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR632DP-T1-RE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.646
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIR632DP-T1-RE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIR632DP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    69.5W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SIR632DP-T1-RE3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 75V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 7.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    7.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    150V
  • descriere detaliata
    N-Channel 150V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIR632DP-T1-RE3”.
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR496DP-T1-GE3

SIR496DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.