Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI7994DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5153051SI7994DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7994DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$4.41
10+
$3.938
100+
$3.23
500+
$2.615
1000+
$2.206
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7994DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7994DP-T1-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Putere - Max
    46W
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Alte nume
    SI7994DP-T1-GE3DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3500pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    60A
  • Numărul părții de bază
    SI7994

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7994DP-T1-GE3”.
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.