Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

*Numele Companiei
*Nume
*Titlu

*Adresa de email
*Număr de telefon

*Țară
*Fereastra de contact
*Data evenimentului

*Mesaj

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.

Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI7962DP-T1-E3

RFQs/Comandă (0)

românesc

românesc

2099172

SI7962DP-T1-E3 Imagine

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7962DP-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc

3000+

$2.17

Anchetă online

Specificații

Număr parc

SI7962DP-T1-E3
Producator / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantitatea de stoc

In stoc
Descriere

MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Condiții libere de stare / stare RoHS

Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
Foi de date

SI7962DP-T1-E3.pdf
Vgs (a) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Pachetul dispozitivului furnizor

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 11.1A, 10V
Putere - Max

1.4W
ambalare

Tape & Reel (TR)
Pachet / Caz

PowerPAK® SO-8 Dual
Alte nume

SI7962DP-T1-E3TR
Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare

Surface Mount
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)
Producător Standard Timp de plumb

13 Weeks
Condiții de stare fără plumb / stare RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

-
Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipul FET

2 N-Channel (Dual)
FET Feature

Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)

40V
descriere detaliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C

7.1A
Numărul părții de bază

SI7962

Vești înrudite
livrare
Plată

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

Transport

Plată

Următoarele sunt produsele legate de „SI7962DP-T1-E3”.

SI7960DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7983DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7980DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7964DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7949DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7956DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7958DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay

In stoc

În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.

Urmați-ne

termeni si conditii Politica de încălcare Cere un citat Despre noi Contactaţi-ne Harta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.