Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI7106DN-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2086372SI7106DN-T1-E3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7106DN-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.599
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7106DN-T1-E3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7106DN-T1-E3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Alte nume
    SI7106DN-T1-E3TR
    SI7106DNT1E3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    27 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    12.5A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7106DN-T1-E3”.
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Descriere: SI7060 EVALUATION BOARD

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.