Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI7100DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1288763SI7100DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7100DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Temperatura de Operare
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3810pF @ 4V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 8V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    8V
  • descriere detaliata
    N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Descriere: SI7060 EVALUATION BOARD

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

Descriere: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși