Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI1967DH-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2522812

SI1967DH-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.16
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI1967DH-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI1967DH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    490 mOhm @ 910mA, 4.5V
  • Putere - Max
    1.25W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Alte nume
    SI1967DH-T1-GE3TR
    SI1967DHT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 8V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Numărul părții de bază
    SI1967

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI1967DH-T1-GE3”.
SI1972DH-T1-GE3

SI1972DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1917EDH-T1-E3

SI1917EDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1988DH-T1-E3

SI1988DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1988DH-T1-GE3

SI1988DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1972DH-T1-E3

SI1972DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1913DH-T1-E3

SI1913DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.