Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI1922EDH-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3687888

SI1922EDH-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.51
10+
$0.426
100+
$0.32
500+
$0.235
1000+
$0.181
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI1922EDH-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI1922EDH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    198 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Putere - Max
    1.25W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Alte nume
    SI1922EDH-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 8V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Numărul părții de bază
    SI1922

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI1922EDH-T1-GE3”.
SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1972DH-T1-E3

SI1972DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1903DL-T1-E3

SI1903DL-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1917EDH-T1-E3

SI1917EDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1913DH-T1-E3

SI1913DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1902DL-T1-E3

SI1902DL-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.