Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > NSB8MTHE3_A/I
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2422417NSB8MTHE3_A/I ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8MTHE3_A/I

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
800+
$0.838
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NSB8MTHE3_A/I
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    NSB8MTHE3_A/I.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.1V @ 8A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1000V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263AB
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    8A
  • Capacitate @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NSB8MTHE3_A/I”.
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Descriere: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB9703

NSB9703

Descriere: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Producători: Desco
In stoc
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Descriere: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.