Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, Pre-Biased > NSB9435T1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3550703NSB9435T1G ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB9435T1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2000+
$0.234
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NSB9435T1G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    NSB9435T1G.pdf
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    30V
  • Vce Saturație (Max) @ Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Tip tranzistor
    PNP - Pre-Biased
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rezistor - bază (R1)
    10 kOhms
  • Putere - Max
    720mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-261-4, TO-261AA
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    6 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecvență - tranziție
    110MHz
  • descriere detaliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223
  • DC Creșterea curentului (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    125 @ 800mA, 1V
  • Curentul curent - colector (max)
    -
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    3A

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NSB9435T1G”.
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Descriere: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Descriere: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSB9703

NSB9703

Descriere: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Producători: Desco
In stoc
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Descriere: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.