Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > EPC2111
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
751806EPC2111 ImagineEPC

EPC2111

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$3.65
10+
$3.257
25+
$2.932
100+
$2.671
250+
$2.41
500+
$2.163
1000+
$1.824
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    EPC2111
  • Producator / Marca
    EPC
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    EPC2111.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 5mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    Die
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
  • Putere - Max
    -
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    Die
  • Alte nume
    917-1174-6
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    14 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 15V, 590pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „EPC2111”.
EPC2108

EPC2108

Descriere: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Descriere: 200 V GAN IC FET DRIVER

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2203

EPC2203

Descriere: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2815

EPC2815

Descriere: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2818

EPC2818

Descriere: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descriere: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2110

EPC2110

Descriere: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Descriere: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descriere: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Descriere: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2801

EPC2801

Descriere: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2202

EPC2202

Descriere: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descriere: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Descriere: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2LC20EM

EPC2LC20EM

Descriere: IC FPGA FBGA

Producători: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
In stoc
RFQ
EPC2106

EPC2106

Descriere: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Descriere: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2107

EPC2107

Descriere: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2LC20

EPC2LC20

Descriere: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producători: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
In stoc
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descriere: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.