Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > EPC2110ENGRT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3938312EPC2110ENGRT ImagineEPC

EPC2110ENGRT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$1.133
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    EPC2110ENGRT
  • Producator / Marca
    EPC
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    EPC2110ENGRT.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 700µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • Putere - Max
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    Die
  • Alte nume
    917-EPC2110ENGRTR
    EPC2110ENGR
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    80pF @ 60V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    120V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.4A

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „EPC2110ENGRT”.
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Descriere: 200 V GAN IC FET DRIVER

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2LC20

EPC2LC20

Descriere: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producători: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
In stoc
RFQ
EPC2110

EPC2110

Descriere: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Descriere: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2815

EPC2815

Descriere: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2111

EPC2111

Descriere: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2801

EPC2801

Descriere: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2818

EPC2818

Descriere: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2105

EPC2105

Descriere: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2107

EPC2107

Descriere: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descriere: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descriere: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2108

EPC2108

Descriere: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2106

EPC2106

Descriere: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descriere: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2202

EPC2202

Descriere: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Descriere: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2203

EPC2203

Descriere: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descriere: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Descriere: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producători: EPC
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.