Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN6A09GTA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2482851ZXMN6A09GTA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN6A09GTA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$0.595
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN6A09GTA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    ZXMN6A09GTA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-261-4, TO-261AA
  • Alte nume
    ZXMN6A09GTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 5.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN6A09GTA”.
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Descriere: MOSFET N-CH 60VSOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Descriere: MOSFETN-CH 60VSOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.