Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN6A08E6TC
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1202662ZXMN6A08E6TC ImagineDiodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN6A08E6TC
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ZXMN6A08E6TC.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-26
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 4.8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.1W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOT-23-6
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    459pF @ 40V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN6A08E6TC”.
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Descriere: MOSFET N-CH 60VSOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Descriere: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Descriere: MOSFETN-CH 60VSOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Descriere: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.