Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMTH10H010LCTB-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4359105

DMTH10H010LCTB-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
800+
$0.909
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMTH10H010LCTB-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.4W (Ta), 166W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2592pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    53.7nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    108A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMTH10H010LCTB-13”.
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Descriere: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Descriere: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Descriere: MOSFET 100V 108A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Descriere: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Descriere: MOSFET NCH 100V TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Descriere: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.