Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMTH10H010LCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2951229

DMTH10H010LCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.78
50+
$1.438
100+
$1.294
500+
$1.006
1000+
$0.834
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMTH10H010LCT
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 100V 108A TO220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMTH10H010LCT.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.4W (Ta), 166W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    DMTH10H010LCTDI-5
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2592pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    53.7nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    108A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMTH10H010LCT”.
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Descriere: MOSFET NCH 100V TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Descriere: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Descriere: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Descriere: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Descriere: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Descriere: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.