Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMT6004SCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1418805

DMT6004SCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$2.18
50+
$1.755
100+
$1.58
500+
$1.229
1000+
$1.018
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMT6004SCT
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMT6004SCT.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.65 mOhm @ 100A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.3W (Ta), 113W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    DMT6004SCTDI-5
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMT6004SCT”.
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Descriere: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Descriere: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Descriere: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Descriere: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 22A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Descriere: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.