Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMT5015LFDF-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4755687DMT5015LFDF-13 ImagineDiodes Incorporated

DMT5015LFDF-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10000+
$0.222
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMT5015LFDF-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMT5015LFDF-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    6-UDFN2020 (2x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    820mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    6-UDFN Exposed Pad
  • Alte nume
    DMT5015LFDF-13DI
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    902.7pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    50V
  • descriere detaliata
    N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9.1A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMT5015LFDF-13”.
DMT4P22K

DMT4P22K

Descriere: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Descriere: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Descriere: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Descriere: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 22A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Descriere: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Descriere: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Descriere: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.