Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN32D2LFB4-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4275986DMN32D2LFB4-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN32D2LFB4-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.16
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN32D2LFB4-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN32D2LFB4-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    X2-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Distrugerea puterii (Max)
    350mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    3-XFDFN
  • Alte nume
    DMN32D2LFB47
    DMN32D2LFB4DITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    14 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    39pF @ 3V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN32D2LFB4-7”.
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Descriere: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Descriere: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.