Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMN3190LDW-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
7053963DMN3190LDW-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN3190LDW-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.59
10+
$0.426
100+
$0.251
500+
$0.142
1000+
$0.109
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN3190LDW-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN3190LDW-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Putere - Max
    320mW
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Alte nume
    DMN3190LDW-7DIDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1A

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN3190LDW-7”.
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Descriere: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Descriere: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.