Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMN3032LFDBQ-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
326297DMN3032LFDBQ-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN3032LFDBQ-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN3032LFDBQ-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN3032LFDBQ-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Putere - Max
    1W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    6-UDFN Exposed Pad
  • Alte nume
    DMN3032LFDBQ-7DICT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10.6nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6.2A

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN3032LFDBQ-7”.
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Descriere: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.