Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN3030LSS-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4526518DMN3030LSS-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN3030LSS-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.187
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN3030LSS-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN3030LSS-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 9A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    DMN3030LSS-13-ND
    DMN3030LSS-13DITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    741pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN3030LSS-13”.
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Descriere: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Descriere: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Descriere: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Descriere: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.